[发明专利]用于制造半导体衬底的工艺以及所获得的半导体衬底

摘要

本发明涉及用于制造半导体衬底(1)的工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤提供至少一个施主半导体衬底(2)，该施主半导体衬底(2)包括至少一个有用硅层(3)；经由检验机(4)对该施主衬底(2)进行检验，以便检测该有用层(3)是否包含尺寸大于或等于临界尺寸的形成的腔，所述临界尺寸严格小于44nm；以及如果就尺寸大于或等于该临界尺寸的腔而言，该施主衬底(2)的有用层(3)中的腔的密度或数量小于或等于临界缺陷密度或数量，则制造包括施主衬底(2)的有用层(3)的至少部分的半导体衬底(1)。

主权项

一种用于制造半导体衬底(1)的工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：‑提供至少一个施主半导体衬底(2)，所述施主半导体衬底(2)包括至少一个有用硅层(3)；‑经由检验机(4)对所述施主衬底(2)进行检验，以检测有用层(3)是否包含尺寸大于或等于临界尺寸的形成的腔，所述临界尺寸严格小于44nm；以及‑如果就尺寸大于或等于所述临界尺寸的腔而言，所述施主衬底(2)的所述有用层(3)中的腔的密度或数量小于或等于临界缺陷密度或数量，则制造包括所述施主衬底(2)的所述有用层(3)的至少部分的半导体衬底(1)，其中制造所述半导体衬底(1)包括以下步骤：‑形成与所述施主衬底(2)的所述有用层(3)接触的氧化层(8)；以及‑将所述有用层(3)的至少部分和所述氧化层(8)转移到接收方衬底(6)，在该转移之后所述接收方衬底(6)形成所述半导体衬底(1)；并且其中将所述有用层(3)的至少部分和所述氧化层(8)转移到所述接收方衬底(6)包括以下步骤：‑通过将离子(11)引入到所述施主衬底(2)中，来在所述施主衬底(2)中建立弱带(10)；‑将所述施主衬底(2)与所述接收方衬底(6)接合；以及‑切割所述弱带(10)，以将所述施主衬底(2)与所述接收方衬底(6)分离。