[发明专利]真空蒸馏高纯镁的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201380006118.9 申请日: 2013-01-17
公开(公告)号: CN104379781B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: J·勒夫勒;P·乌戈威茨尔;C·韦格曼;M·贝克尔;H·费克廷格尔 申请(专利权)人: 苏黎世联合高等工业学校
主分类号: C22B9/04 分类号: C22B9/04;C22B26/22
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 冯奕
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 含镁金属熔体形式的起始原料(2)与冷凝容器(3)的上部区域(32)共同位于被外部加热元件(5)所加热的还原罐(1)的上部区域(11)中,其中按照箭头(91)所产生的蒸气根据箭头(92)在防止被污染的镁熔体不期望地进入的盖板(4)下方经由开口(31)进入冷凝容器(3)的上部区域(32)之中,其中所述蒸气在相当于镁熔点等温线的直线(8)下方,在被第二个加热元件(51)加热的还原罐下部区域(12)中冷凝,从而在冷凝容器(3)的下部区域(33)中形成高纯镁熔体(21)。通过闭锁机构(6)的开口还原罐(1)的内部空间可以与前室(13)暂时相连,以及通过管路(73)和阀(72)与真空泵(73)相连,通过另一个管路(74)与压力测量仪(75)相连,和通过第三个管路(76)经由阀(77)和压力或流量调节装置(77)与惰性气源(79)相连。
搜索关键词: 真空 蒸馏 高纯 方法 装置
【主权项】:
通过减压蒸馏制备高纯镁的方法,其特征在于,-在液态下凝结高纯镁,-含镁熔体形式的起始原料与冷凝容器的上部区域共同位于还原罐的上部区域之中,-还原罐由不会将挥发性杂质释放给镁蒸气的材料构成,-在两个水平线的界限之内使得还原罐的上部区域达到镁沸点以上的某个温度,然后保持该温度不变,使得蒸气由沸腾的含镁金属熔体上升,并且将还原罐的上部区域的内部空间充满,-进入冷凝容器上部区域之中的蒸气在较低水平线以下凝结并且在冷凝容器的下部区域中聚集成为高纯熔体;且-通过盖板防止从较高水平线上方区域滴落的污染的熔体进入冷凝容器的开口中,所述盖板使得不纯净的镁重新回到熔体之中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏黎世联合高等工业学校,未经苏黎世联合高等工业学校许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380006118.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top