[发明专利]多晶硅棒的制造方法

摘要

在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。

主权项

一种多晶硅棒的制造方法，其为在反应器中配置硅芯线，向反应炉内供给含有硅烷化合物的原料气体，通过CVD法使多晶硅在由通电加热后的硅芯线上析出而制造直径为160mm以上的多晶硅棒的方法，其特征在于，所述方法具备高频电流通电工序，该高频电流通电工序通过频率可变的高频电源，对所述多晶硅棒通电具有2kHz以上且不超过200kHz的频率的电流来进行加热，该高频电流通电工序包括对串联连接的通过所述多晶硅的析出直径达到80mm以上的预定值D0的多晶硅棒供给高频电流的工序，在该高频电流的供给工序中，所述高频电流在所述多晶硅棒中流过时的趋肤深度在13.8mm以上且80.0mm以下的范围内，所述高频电流的频率根据所述多晶硅棒的表面温度变动来选择，作为所述原料气体选择含有三氯甲硅烷的气体，将所述多晶硅棒的表面温度控制为900℃以上且1250℃以下，并且，在所述多晶硅棒的表面温度为1200℃的情况下将所述高频电流的频率设定为67.2kHz～2.0kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为1100℃的情况下将所述高频电流的频率设定为93.7kHz～2.8kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为1000℃的情况下将所述高频电流的频率设定为137.8kHz～4.1kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为950℃的情况下将所述高频电流的频率设定为171.1kHz～5.1kHz，在所述多晶硅棒的表面温度为900℃的情况下将所述高频电流的频率设定为216.3kHz～6.4kHz，并且，最迟在所述多晶硅棒的直径达到130mm的阶段将所述原料气体中的三氯甲硅烷的主体浓度设定为20摩尔％以上且40摩尔％以下，使多晶硅析出。