[发明专利]脱模膜和使用该脱模膜的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201380007058.2 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104080585B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 笠井涉;樋口義明;安宅真和;田口大辅;大继聪 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | B29C33/68 | 分类号： | B29C33/68;B29C43/18;B29C45/02;H01L21/56;C08F214/26;C08J5/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使模具大型化、复杂化，拉伸脱模膜时脱模膜的厚度也不易产生不均的脱模膜，以及可制造即使树脂密封部大型化、复杂化，树脂密封部的表面变形也得到抑制的半导体器件的方法。使用在将半导体器件(包括发光二极管(1)等)的半导体元件(发光元件(12)等)用固化性密封树脂密封而形成树脂密封部(透镜部(14)等)的模具的腔面(26)所配置的脱模膜(30)，该脱模膜(30)的按照JIS K 7127测定的132℃时的拉伸弹性模量为10～24MPa，剥离力的最大值在0.8N/25mm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 脱模 使用 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
脱模膜，它是在将半导体器件的半导体元件用固化性密封树脂密封而形成树脂密封部的模具的腔面所配置的脱模膜，其特征在于，按照JIS K 7127测定的132℃时的拉伸弹性模量为10～24MPa，剥离力的最大值在0.8N/25mm以下，并且厚度是25～50μm。
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