[发明专利]银微粒及其制造方法以及含有该银微粒的导电性膏、导电性膜和电子设备无效
| 申请号： | 201380007258.8 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104080561A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 石谷诚治;山本洋介;岩崎敬介;大杉峰子;森井弘子;林一之 | 申请（专利权）人： | 户田工业株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00;H01B1/00;H01B1/22;H01B5/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及热收缩性和低温烧结性优异、并且在基板上形成的电极、电路图案中的填充性优异的平均粒径30～100nm的银微粒及其制造方法以及含有该银微粒的导电性膏、导电性膜和电子设备。银微粒的制造方法为，使用硝酸银和高分子保护剂制备水溶液(A液)，与上述A液分别地制备溶解还原剂和低分子保护剂得到的水溶液(B液)，在上述A液中滴加上述B液，使其还原析出，得到银微粒，对该银微粒进行分离、清洗、干燥，在该银微粒的制造方法中，将在上述A液中滴加上述B液时的混合溶液的温度控制在40℃以下，并且通过真空冻结干燥进行干燥工序，由此得到银微粒，尽管得到的银微粒为平均粒径30～100nm的微粒，但具有3.0g/cm3以上的高的振实密度，因此，在基板上形成的电极、电路图案中的填充性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 微粒 及其 制造 方法 以及 含有 导电性 电子设备 | ||
【主权项】：
一种银微粒，其特征在于：平均粒径(DSEM)为30～100nm，振实密度为3.0g/cm3以上。
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