[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380007460.0 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104094409B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 宫本忠芳;伊东一笃;森重恭;宫本光伸;小川康行;中泽淳;内田诚一;松尾拓哉 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的栅极电极和第一透明电极；在所述栅极电极和所述第一透明电极上形成的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；和与所述漏极电极电连接的第二透明电极，所述半导体装置还具有在所述栅极电极与所述基板之间形成的第二绝缘层，所述氧化物半导体层的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述栅极电极重叠，所述第一透明电极的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述第二透明电极重叠，且所述氧化物半导体层和所述第二透明电极由相同的氧化物膜形成，所述第二透明电极以比所述氧化物半导体层高的浓度含有杂质，所述第二绝缘层形成在所述第一透明电极上。
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