[发明专利]制造磷属元素化物吸收体膜和发射体膜之间导带偏移降低的光伏器件的方法有效
申请号: | 201380007512.4 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN104364910A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | J·P·伯斯科;G·M·金伯尔;H·A·阿特瓦特;N·S·刘易斯;R·克里斯廷-利格曼菲斯特;M·W·德格鲁特 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;加利福尼亚技术学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的原理用于降低硫属元素化物发射体和磷属元素化物吸收体膜之间的导带偏移。或者说,本发明提供了更紧密匹配所述吸收体和发射体成分之间的电子亲和势特性的策略。所得到的光伏器件有潜力使之具有较高的效率和较高的开路电压。所生成的结的电阻将随着电流漏泄降低而降低。在说明性的实践方式中,本发明在所述发射体层中掺入了一种或多种调节剂以调节电子亲和势特性,从而降低发射体和吸收体之间的导带偏移。在n-型发射体例如ZnS或三元化合物例如硫化硒化锌(任选掺杂Al)等的情况下,当吸收体是p-型磷属元素化物材料如磷化锌或掺入Zn以外的至少一种其他金属和任选的磷以外的至少一种非金属的磷化锌合金时,示例性的调节剂是Mg。因此,包括这样的膜的光伏器件表现出改进的电子性能。 | ||
搜索关键词: | 制造 元素 吸收体 发射 之间 偏移 降低 器件 方法 | ||
【主权项】:
制造固态光伏异质结或其前体的方法,所述方法包括以下步骤:a.提供磷属元素化物半导体膜;和b.直接或间接在所述磷属元素化物半导体膜上形成硫属元素化物半导体膜,所述硫属元素化物半导体膜包含至少一种II族元素和至少一种VI族元素,并且其中至少与所述磷属元素化物半导体膜靠近的所述硫属元素化物半导体膜的部分掺入了至少一种调节剂,与没有或具有较少量的至少一种调节剂的在相同条件下形成的其他方面相同的硫属元素化物半导体膜组成相比,所述至少一种调节剂降低所述磷属元素化物半导体膜与所述硫属元素化物半导体膜之间的导带偏移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术有限责任公司;加利福尼亚技术学院,未经陶氏环球技术有限责任公司;加利福尼亚技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380007512.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的