[发明专利]制造磷属元素化物吸收体膜和发射体膜之间导带偏移降低的光伏器件的方法有效

专利信息
申请号: 201380007512.4 申请日: 2013-01-30
公开(公告)号: CN104364910A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: J·P·伯斯科;G·M·金伯尔;H·A·阿特瓦特;N·S·刘易斯;R·克里斯廷-利格曼菲斯特;M·W·德格鲁特 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司;加利福尼亚技术学院
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴亦华
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的原理用于降低硫属元素化物发射体和磷属元素化物吸收体膜之间的导带偏移。或者说,本发明提供了更紧密匹配所述吸收体和发射体成分之间的电子亲和势特性的策略。所得到的光伏器件有潜力使之具有较高的效率和较高的开路电压。所生成的结的电阻将随着电流漏泄降低而降低。在说明性的实践方式中,本发明在所述发射体层中掺入了一种或多种调节剂以调节电子亲和势特性,从而降低发射体和吸收体之间的导带偏移。在n-型发射体例如ZnS或三元化合物例如硫化硒化锌(任选掺杂Al)等的情况下,当吸收体是p-型磷属元素化物材料如磷化锌或掺入Zn以外的至少一种其他金属和任选的磷以外的至少一种非金属的磷化锌合金时,示例性的调节剂是Mg。因此,包括这样的膜的光伏器件表现出改进的电子性能。
搜索关键词: 制造 元素 吸收体 发射 之间 偏移 降低 器件 方法
【主权项】:
制造固态光伏异质结或其前体的方法,所述方法包括以下步骤:a.提供磷属元素化物半导体膜;和b.直接或间接在所述磷属元素化物半导体膜上形成硫属元素化物半导体膜,所述硫属元素化物半导体膜包含至少一种II族元素和至少一种VI族元素,并且其中至少与所述磷属元素化物半导体膜靠近的所述硫属元素化物半导体膜的部分掺入了至少一种调节剂,与没有或具有较少量的至少一种调节剂的在相同条件下形成的其他方面相同的硫属元素化物半导体膜组成相比,所述至少一种调节剂降低所述磷属元素化物半导体膜与所述硫属元素化物半导体膜之间的导带偏移。
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