[发明专利]垂直共振腔面发射激光器

摘要

一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。

主权项

一种垂直共振腔面发射激光器，以层结构具备：活性层，其具备量子阱；第一包层以及第二包层，它们夹着该活性层；第一多层膜反射层，其配置于所述第一包层的与所述活性层相反侧；第二多层膜反射层，其配置于所述第二包层的与所述活性层相反侧；第一电极，其连接于所述第一多层膜反射层的所述第一包层；以及第二电极，其连接于所述第二多层膜反射层的所述第二包层，其中，所述第一包层由Al组分比高的高活性能量层和Al组分比低的低活性能量层构成，所述第二包层由Al组分比高的高活性能量层和Al组分比低的低活性能量层构成，所述活性层、所述第一包层、所述第二包层、所述第一多层膜反射层以及所述第二多层膜反射层由AlGaAs材料构成，所述低活性能量层成为比用于形成所述活性层的所述量子阱的锁光层的Al组分比率低且比所述量子阱的Al组分比率高的Al组分比率，所述高活性能量层成为比用于形成所述活性层的所述量子阱的锁光层的Al组分比率高的Al组分比率。