[发明专利]使用可转移的再分布层制造再分布的晶片的方法无效

专利信息
申请号: 201380007709.8 申请日: 2013-01-29
公开(公告)号: CN104094398A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: T·里德;D·亨顿;S·敦非 申请(专利权)人: 哈里公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/66;H01L23/522;H01L21/768
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 美国佛*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 制造再分布的电子装置的方法包括提供具有多个电子装置的晶片,每个电子装置具有形成管芯焊盘的接触区图案。该方法还包括在临时基板上形成再分布层,所述再分布层具有形成与管芯焊盘相匹配的晶片接合焊盘的接触区图案和形成与晶片接合焊盘不同的再分布焊盘的接触区图案,晶片接合焊盘通过多个堆叠的导电层和绝缘层被耦接到再分布焊盘。管芯焊盘被耦接到晶片接合焊盘,并且去除临时基板。晶片和再分布层然后被分割成多个再分布的电子装置。
搜索关键词: 使用 转移 再分 制造 晶片 方法
【主权项】:
一种制造具有再分布层的电子装置的方法,包括:提供包括多个电子装置的晶片,每个电子装置具有形成管芯焊盘的接触区图案;在临时基板上形成再分布层,所述再分布层具有形成与管芯焊盘相匹配的晶片接合焊盘的接触区图案和形成与晶片接合焊盘不同的再分布焊盘的接触区图案,所述晶片接合焊盘被耦接到再分布焊盘;将晶片的管芯焊盘耦接到再分布层的晶片接合焊盘;从再分布层去除临时基板;以及将被耦接的晶片和再分布层分割成多个再分布的电子装置。
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