[发明专利]R-T-B-Ga系磁体用原料合金及其制造方法

摘要

R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金(其中，R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、T是以Fe为必须的1种以上过渡元素)中，包含作为主相的R₂T₁₄B相3和浓缩有R的富R相(1和2)，通过使富R相内的非晶相1中的Ga含有率(质量％)高于富R相内的结晶相2中的Ga含有率(质量％)，在作为原料使用的稀土磁体中，能够提高磁特性同时能够降低磁特性的偏差。为了抑制激冷晶体的形成和α‑Fe的结晶，优选的是，R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金的平均厚度为0.1mm以上且1.0mm以下。

主权项

一种R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金，其特征在于，其为R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金，其中，R为包含Y的稀土元素之中的至少1种，T是以Fe为必须的1种以上过渡元素，该R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金包含作为主相的R₂T₁₄B相和浓缩有R的富R相，所述富R相内的非晶相中的以质量％计的Ga含有率高于所述富R相内的结晶相中的以质量％计的Ga含有率。