[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT在审
| 申请号： | 201380008194.3 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104094372A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 谢泉隆;俞钢 | 申请（专利权）人： | 希百特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/62 | 分类号： | H01J1/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张焕生;谢丽娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在透明基板上制造金属氧化物TFT的方法，包括步骤：在基板的正面上定位不透明的栅极金属区域，沉积覆盖栅极金属以及周围区域的透明栅极介电层和透明金属氧化物半导体层，在半导体材料上沉积透明钝化材料，在钝化材料上沉积光刻胶，曝光并显影光刻胶以去除曝光部分，蚀刻钝化材料以留下限定沟道区域的钝化区域，在钝化区域上沉积透明导电材料，在导电材料上沉积光刻胶，曝光并显影光刻胶以去除未曝光部分，以及蚀刻导电材料使得在沟道区域的相对侧留下源极和漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 对准 金属 氧化物 tft | ||
【主权项】：
一种包括至少一个双重自对准金属氧化物TFT的薄膜电子电路。
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