[发明专利]无机聚硅氮烷树脂有效

专利信息
申请号: 201380008388.3 申请日: 2013-02-01
公开(公告)号: CN104114483B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 藤原嵩士;R·格罗特穆勒;神田崇;长原达郎 申请(专利权)人: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082;H01L21/316
代理公司: 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 代理人: 刘激扬
地址: 卢森堡(L-1*** 国省代码: 卢森堡;LU
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摘要: 发明的无机聚硅氮烷树脂是所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.30以上的无机聚硅氮烷树脂。这样的Si含量高的无机聚硅氮烷树脂例如可通过如下方法等方法来制造:将同时包含Si‑NH和Si‑Cl的无机聚硅氮烷化合物加热,使NH与Cl进行反应的方法;以及合成不残留Si‑Cl键的硅氮烷低聚物(聚合物),向其中加入二卤代硅烷而进行热反应的方法。关于硅质膜,例如通过将含有前述无机聚硅氮烷树脂的涂布组合物涂布于基板,进行干燥,然后在加热了的状态下与水蒸气接触而氧化或者与过氧化氢蒸气以及水蒸气接触而氧化从而形成。
搜索关键词: 无机 聚硅氮烷 树脂
【主权项】:
1.一种无机聚硅氮烷树脂,其特征在于,所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.40以上,所述无机聚硅氮烷树脂包含三个键都与硅结合的3官能氮原子作为重复单元,并且所述无机聚硅氮烷树脂的苯乙烯换算重均分子量为1,200~20,000其中,所述无机聚硅氮烷树脂通过将同时包含Si‑NH与Si‑Cl的无机聚硅氮烷化合物加热,使NH与Cl进行反应从而获得。
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