[发明专利]MOSFET终止沟槽有效
| 申请号： | 201380008390.0 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104106141B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 米斯巴赫·U·阿扎姆;凯尔·特里尔 | 申请（专利权）人： | 威世硅尼克斯 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 陈源,崔利梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，在一个实施例中，可包括在衬底中形成核心沟槽和终止沟槽。所述终止沟槽比所述核心沟槽更宽。此外，可沉积填充所述核心沟槽并用作所述终止沟槽的侧壁和底部的内衬的第一氧化物。可将第一多晶硅沉积到所述终止沟槽中。可将第二氧化物沉积在所述第一多晶硅之上。可将掩模沉积在所述第二氧化物和所述终止沟槽之上。可从所述核心沟槽移除所述第一氧化物。可沉积用作所述核心沟槽的侧壁和底部的内衬的第三氧化物。所述终止沟槽内的所述第一氧化物比所述核心沟槽内的所述第三氧化物更厚。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 终止 沟槽 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底中形成核心沟槽和终止沟槽，所述终止沟槽比所述核心沟槽宽，所述终止沟槽比所述核心沟槽深，所述衬底的台面位于所述核心沟槽和所述终止沟槽之间，所述终止沟槽的表面是所述台面的第一表面并且所述核心沟槽的表面是所述台面的第二表面；在所述核心沟槽中沉积第一氧化物，并且所述第一氧化物用作所述终止沟槽的侧壁和底部的内衬；在所述终止沟槽中并且所述第一氧化物之间沉积第一多晶硅，所述第一多晶硅延伸的深度是所述终止沟槽的深度的一半以上；在所述第一多晶硅上方沉积第二氧化物；在所述第二氧化物和所述终止沟槽上方沉积掩模；从所述核心沟槽移除所述第一氧化物；沉积第三氧化物，所述第三氧化物用作所述核心沟槽的侧壁和底部的内衬，所述终止沟槽内的所述第一氧化物比所述核心沟槽内的所述第三氧化物厚；在所述核心沟槽中沉积第二多晶硅，所述第二多晶硅比所述第一多晶硅深，所述第一多晶硅比所述第二多晶硅宽；和在所述台面上方沉积第四氧化物，所述第四氧化物与所述第一氧化物、所述第一多晶硅和所述第三氧化物直接接触。
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