[发明专利]光固化物及其制造方法有效
| 申请号： | 201380008685.8 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104115256B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 村山阳平;伊藤俊树;三原知惠子;冲仲元毅 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B29C39/10;B29C39/24;B29C59/02;C08K5/05;C08L33/00 |
| 代理公司： | 北京魏启学律师事务所11398 | 代理人： | 魏启学 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 旨在提供利用光压印法制备的并具有良好的图案精度和图案缺陷改善的光固化物。本发明提供通过将与模具接触的涂布膜用光照射获得的光固化物，该光固化物含有含氟原子表面活性剂，其中在通过光固化物的基于飞行时间二次离子质谱法的表面分析获得的二次离子信号中，C2H5O+离子信号的强度高于C3H7O+离子信号的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 光固化 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光固化物，其特征在于，其通过用光照射与模具接触的光固化性组合物而获得，所述光固化物含有由下式[1]表示的含氟原子表面活性剂：R1‑X1‑R2‑X2‑R3 [1]其中R1表示全氟烷基，R2表示含有氧化乙烯的二价取代基，R3表示选自烷基羟基、羧基、硫醇基、吡啶基、硅烷醇基和磺基的极性官能团，X1和X2各自表示单键或二价取代基，其中所述含氟原子表面活性剂与所述光固化物的比例为0.001重量％至5重量％，其中在通过所述光固化物的基于飞行时间二次离子质谱法的表面分析获得的二次离子信号中，m/z＝45的C2H5O+离子的信号强度与m/z＝59的C3H7O+离子的信号强度的比值是2以上且284006/35811以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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