[发明专利]EUV微光刻的投射镜头、膜元件及制造包含膜元件的投射镜头的方法有效

专利信息
申请号: 201380008896.1 申请日: 2013-02-08
公开(公告)号: CN104136999B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: B.比特纳;N.瓦布拉;S.施耐德;R.施耐德;H.瓦格纳;C.沃尔德;R.伊利尤;T.希克坦兹;T.格鲁纳;W.保罗斯;H.施密特 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G21K1/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种投射镜头(PO),该投射镜头利用具有来自极紫外范围(EUV)的工作波长λ的电磁辐射,将布置在该投射镜头的物平面(OS)中的图案成像于该投射镜头的像平面(IS)中,该投射镜头包含多个反射镜(M1‑M6),该多个反射镜具有反射镜表面,该反射镜表面布置在该物平面及该像平面之间的投射光束路径中,使得可利用该反射镜将布置在该物平面中的图案成像于该像平面中。分配的波前校正装置(WFC)包含膜元件(FE),该膜元件具有一膜,该膜在波前校正装置的操作模式中布置在投射光束路径中且在工作波长λ透射照在光学使用区中的EUV辐射的主要部分。该膜元件包含第一层,其由具有第一复数折射率n1=(1‑δ1)+iβ1的第一层材料构成且具有在使用区上根据第一层厚度分布局部改变的第一光学层厚度;以及第二层,其由具有第二复数折射率n2=(1‑δ2)+iβ2的第二层材料构成且具有在使用区上根据第二层厚度分布局部改变的第二光学层厚度,其中该第一层厚度分布与该第二层厚度分布不同。第一折射率的实部与1的偏差δ1相对于第一层材料的吸收系数β1较大,第二折射率的实部与1的偏差δ2相对于第二层材料的吸收系数β2较小。
搜索关键词: euv 微光 投射 镜头 元件 制造 包含 方法
【主权项】:
一种投射镜头(PO),其利用具有极紫外范围(EUV)中的工作波长λ的电磁辐射,将布置在所述投射镜头的物平面(OS)中的图案成像于所述投射镜头的像平面(IS)中,所述投射镜头包含:多个反射镜(M1‑M6),其具有反射镜表面,所述反射镜表面布置在所述物平面与所述像平面之间的投射光束路径中,使得能够利用所述反射镜将布置在所述物平面中的图案成像于所述像平面中,其特征在于:波前校正装置(WFC),其包含膜元件,所述膜元件具有膜,所述膜在所述波前校正装置的操作模式中布置在所述投射光束路径中且在所述工作波长λ透射照在光学使用区中的EUV辐射的主要部分,其中所述膜元件包含:第一层(L1),其由具有第一复数折射率n1=(1‑δ1)+iβ1的第一层材料构成且具有第一光学层厚度,所述第一光学层厚度根据第一层厚度分布在所述使用区上局部改变;以及第二层(L2),其由具有第二复数折射率n2=(1‑δ2)+iβ2的第二层材料构成且具有第二光学层厚度,所述第二光学层厚度根据第二层厚度分布在所述使用区上局部改变,其中,所述第一层厚度分布与所述第二层厚度分布不同,以及其中,所述第一折射率的实部与1的偏差δ1相对于所述第一层材料的吸收系数β1较大,所述第二折射率的实部与1的偏差δ2相对于所述第二层材料的吸收系数β2较小。
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