[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201380009061.8 | 申请日: | 2013-02-12 |
公开(公告)号: | CN104115261B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 岩崎征英;米仓総史;岩尾俊彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一实施方式的成膜装置中,载置台被设置成能够以轴线为中心旋转。收容载置台的处理室包括第1区域以及第2区域。伴随着载置台的旋转,该载置台的基板载置区域相对于轴线在周向移动,并依次通过第1区域以及第2区域。第1气体供给部从被设置成与载置台对置的喷射部向第1区域供给前躯体气体。排气部从形成为沿着包围喷射部的周围的闭路延伸的排气口进行排气。第2气体供给部从形成为沿着包围排气口的周围的闭路延伸的喷射口供给净化气体。等离子体生成部在第2区域生成反应气体的等离子体。在该成膜装置中,第2区域对于所述轴线向周向延伸的角度范围大于第1区域对于所述轴线向周向延伸的角度范围。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其中,包括:载置台,其具有基板载置区域,并且被设置成能够以轴线为中心旋转,以便该基板载置区域在周向移动;处理容器,其划界收容所述载置台的处理室,该处理室包括通过所述载置台的旋转而相对于所述轴线在周向移动的所述基板载置区域依次通过的第1区域以及第2区域;第1气体供给部,其从被设置成与所述载置台对置的喷射部向所述第1区域供给前躯体气体;排气部,其从形成为沿着包围所述喷射部的周围的闭路延伸的排气口进行排气;第2气体供给部,其从形成为沿着包围所述排气口的周围的闭路延伸的喷射口供给净化气体;以及等离子体生成部,其在所述第2区域生成反应气体的等离子体,所述第2区域相对于所述轴线向周向延伸的角度范围大于所述第1区域相对于所述轴线向周向延伸的角度范围,在所述喷射部与所述等离子体生成部之间延伸的所述喷射口以及所述排气口的宽度小于所述基板载置区域的直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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