[发明专利]R-T-B系烧结磁体有效
| 申请号： | 201380009189.4 | 申请日： | 2013-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104137197A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 三轮将史;中嶋春菜;西川健一;日高彻也;萩原淳;石坂力 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;B22F3/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所涉及的R-T-B系烧结磁体其特征在于，所述R-T-B系烧结磁体具有R2T14B结晶粒，在由相邻的2个以上的R2T14B结晶粒形成的晶粒边界中具有R-O-C浓缩部，相比R2T14B结晶粒内，所述R-O-C浓缩部的R、O以及C的浓度都更高，R-O-C浓缩部中O原子相对于R原子的比率(O/R)满足下述式(1)。0.4＜(O/R)＜0.7 (1)。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，所述R‑T‑B系烧结磁体具有R2T14B结晶粒，在由相邻的2个以上的所述R2T14B结晶粒形成的晶粒边界中具有R‑O‑C浓缩部，相比所述R2T14B结晶粒内，所述R‑O‑C浓缩部的R、O以及C的浓度都更高，所述R‑O‑C浓缩部中O原子相对于R原子的比率O/R满足下述式(1)，0.4＜(O/R)＜0.7 (1)。
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