[发明专利]电解池和电解槽有效
申请号: | 201380009654.4 | 申请日: | 2013-03-18 |
公开(公告)号: | CN104114748B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 船川明恭;蜂谷敏德 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社 |
主分类号: | C25B9/04 | 分类号: | C25B9/04;C23C4/08;C23C4/10;C23C4/18;C25B9/00;C25B9/02;C25B11/04;C25B15/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电解池,其能够抑制电解停止时逆电流所导致的阴极劣化。本发明的电解池的一个方式为,其具备阳极室、阴极室、将阳极室与上述阴极室隔开的隔离壁、设置于阳极室的阳极、设置于阴极室的阴极、和具有基材和形成于该基材上的逆电流吸收层并设置于阴极室内的逆电流吸收体,阳极与阴极被电连接,阴极与逆电流吸收层被电连接。 | ||
搜索关键词: | 电解池 电解槽 | ||
【主权项】:
一种电解池,所述电解池具备:阳极室、阴极室、将所述阳极室与所述阴极室隔开的隔离壁、设置于所述阳极室的阳极、设置于所述阴极室的阴极、和设置于所述阴极室内的逆电流吸收体,其具有基材和形成于该基材上的逆电流吸收层,所述阳极与所述阴极被电连接,所述阴极与所述逆电流吸收层被电连接,所述逆电流吸收层为包含Ni或NiO的多孔质层,并且,在所述逆电流吸收层的粉末X射线衍射图中,衍射角2θ=44.5°处的Ni金属的衍射线峰的半峰宽为0.6°以下。
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