[发明专利]曝光描绘装置及曝光描绘方法有效
| 申请号： | 201380010638.7 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104205291A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 桥口昭浩;菊池浩明;吉川武志 | 申请（专利权）人： | 株式会社阿迪泰克工程 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级的曝光描绘装置及曝光描绘方法。所述曝光描绘装置具备：曝光单元，通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案；计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数；判定单元，判定曝光单元的曝光处理中利用计数单元计数出的粒子数是否是基于与电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及附加单元，在由判定单元判定为是阈值以上的情况下，对被曝光基板附加预先规定的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 描绘 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光描绘装置，具备：曝光单元，通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案；计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数；判定单元，判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及附加单元，在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，对所述被曝光基板附加预先规定的信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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