[发明专利]用于石墨烯形成的方法和系统有效
| 申请号： | 201380010837.8 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN104136368B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 大卫·A·博伊德 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B01J19/12;C07C9/04 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 高瑜,郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于石墨烯形成的方法包括提供基底并使所述基底经受减压环境。所述方法还包括提供载气和碳源并且使所述基底的至少一部分暴露于所述载气和所述碳源。所述方法还包括在所述基底的所述至少一部分上进行表面处理工艺并且使所述碳源的一部分转变成布置在所述基底的所述至少一部分上的石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 石墨 形成 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种形成石墨烯的薄膜的方法，所述方法包括：在减压下把基底放置于处理室中；在所述基底的至少一部分上进行室温等离子体清洗；在所述处理室中提供含碳材料；使所述基底暴露于所述含碳材料；以及使所述含碳材料的一部分在室温下转变成在所述基底上的石墨烯的薄膜。
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