[发明专利]用于制造单晶金属-半导体-复合的方法

摘要

在用于制造半传导的功能层的表面上的单晶金属-半导体-复合的方法中首先将包含金属的储备层涂覆在功能层上。接着通过退火触发金属与功能层的反应。根据本发明，储备层最迟在从功能层的表面起5nm的层厚度的情况下结束，或储备层最迟在这个层厚度的情况下转变成区域，金属在该区域中比在与功能层直接相邻的区域中更慢扩散。通过这个措施可以有利地避免功能层中金属的扩散流。可以认识到，这正好取决于，金属-半导体-复合是否是单晶。储备层可以由金属或金属的合金组成的至少两个层，该至少两个层彼此之间通过扩散势垒分开，但是还包括由金属组成的与功能层直接相邻的层和由金属的合金组成的至少一个层。

主权项

 一种用于制造半传导的功能层的表面上的单晶金属‑半导体‑复合的方法，其中首先将包含金属的储备层涂覆在所述功能层上并且然后通过退火触发所述金属与所述功能层的反应，其特征在于，所述储备层最迟在从所述功能层的表面起5nm的层厚度的情况下结束或转变为其中所述金属比在与所述功能层直接相邻的区域中更慢地扩散的区域。