[发明专利]基板清洗方法、基板清洗装置以及真空处理装置有效
申请号: | 201380011286.7 | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN104137233B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 松尾二郎;濑木利夫;青木学聪;土桥和也;井内健介;齐藤美佐子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人京都大学 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够以较高的去除率去除附着于基板表面的微粒的技术。取得与附着于作为基板的晶圆(W)的微粒(100)有关的、包括粒径在内的微粒信息(74),根据该微粒信息(74)来调整与清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇(200)的粒径有关的因素、例如气体压力。之后,自压力比晶圆(W)所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体,通过绝热膨胀生成上述气体团簇(200)。当将该气体团簇(200)向晶圆(W)的表面垂直地照射时,能够利用具有与微粒(100)的粒径相匹配的粒径的气体团簇(200)来进行清洗处理,其结果,即使在晶圆(W)的表面形成有用于形成电路图案的凹部(81),也能够以较高的去除率去除凹部(81)内的微粒(100)。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 装置 以及 真空 处理 | ||
【主权项】:
一种基板清洗方法,其用于去除附着于基板的微粒,其特征在于,该基板清洗方法包括:取得与附着于基板的微粒有关的、包括粒径在内的微粒信息的工序;根据由上述工序取得的微粒信息来对清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇的粒径进行调整的工序;之后自压力比基板所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体、通过绝热膨胀生成上述气体团簇的工序;以及将上述气体团簇向基板的表面垂直地照射而去除微粒的工序,其中,上述对气体团簇的粒径进行调整的工序是对清洗用气体的供给压力和清洗用气体的温度中的至少一者进行调整的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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