[发明专利]低熔点的电镀铝用镀液的调制方法、电镀铝用镀液、铝箔的制造方法、以及降低电镀铝用镀液的熔点的方法在审
| 申请号： | 201380011635.5 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104204308A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 冈本笃志;松田纯一 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C25D3/44 | 分类号： | C25D3/44;C25D1/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的特征在于在调制至少含有(1)二烷基砜、(2)铝卤化物、以及(3)含氮化合物的电镀铝用镀液之际的二烷基砜、铝卤化物、含氮化合物的配合比例，相对于二烷基砜10摩尔，铝卤化物为3.5+n～4.2+n摩尔，含氮化合物为n摩尔(其中n为0.001～2.0摩尔)。还有，在通过本发明的方法调制的电镀铝用镀液中，相对于通电量，铝的析出效率高的电镀处理是可能的，因此谋求电使用量的削减有在经济性方面优异的有利之处。 | ||
| 搜索关键词： | 熔点 镀铝 用镀液 调制 方法 铝箔 制造 以及 降低 | ||
【主权项】：
电镀铝用镀液的调制方法，其为至少含有(1)二烷基砜、(2)铝卤化物、以及(3)含氮化合物的电镀铝用镀液的调制方法，其特征在于，通过在调制镀液之际的二烷基砜、铝卤化物、含氮化合物的配合比例相对于二烷基砜10摩尔，铝卤化物为3.5+n～4.2+n摩尔，含氮化合物为n摩尔(其中n为0.001～2.0摩尔)，以使镀液的熔点在25℃以下。
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