[发明专利]含硅膜和含硅膜形成方法有效
| 申请号： | 201380011711.2 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104160062A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 山下雅充;藤元高佳;岩出卓 | 申请（专利权）人： | 东丽工程株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/02;H01L51/44;H01L51/52;H05B33/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种膜，该膜通过为低应力且水分吸收少的密封膜结构，从而在经时变化中不会发生剥离，具有稳定的阻隔性。具体地说，提供一种含硅膜，该含硅膜具备：通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度为0元素％以上且小于10元素％的第1化学沉积层；和通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度超过35元素％且为70元素％以下的第2化学沉积层，其中，上述第1化学沉积层的厚度(L1)与上述第2化学沉积层的厚度(L2)之比L2/L1为1.5～9。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种含硅膜，所述含硅膜具备：通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度为0元素％以上且小于10元素％的第1化学沉积层；和通过等离子体CVD法形成的包含硅元素且氧浓度超过35元素％且为70元素％以下的第2化学沉积层，其中，该第1化学沉积层的厚度L1与该第2化学沉积层的厚度L2之比L2/L1为1.5～9。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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