[发明专利]用于临时接合超薄晶片的方法和装置有效
| 申请号： | 201380012296.2 | 申请日： | 2013-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104145330B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | G·乔治;S·卢特尔 | 申请（专利权）人： | 苏斯微技术光刻有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于临时接合第一晶片和第二晶片的方法，包括将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上，然后固化的第一粘合剂层。接着，将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上。接着，将第一晶片插入接合器模组内并由一个上卡盘组件保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下。接着，将第二晶片插入接合器模组内并放置在一个下卡盘组件上，使第二粘合剂层面朝上并与第一粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层相接触，然后固化第二粘合剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 临时 接合 超薄 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于临时接合两个晶片表面的方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；将第一粘合剂层涂覆在所述第一晶片的第一表面上；将所述第一粘合剂层固化，从而生成固化的第一粘合剂层；将湿的第二粘合剂层涂敷在所述第二晶片的第一表面上；所述湿的第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触；将所述第二粘合剂层固化，从而形成所述第一晶片与所述第二晶片之间的临时接合；以及，提供用于移动所述晶片的上卡盘组件和下卡盘组件，所述上卡盘组件和所述下卡盘组件分别包括小作用力的上卡盘和下卡盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏斯微技术光刻有限公司，未经苏斯微技术光刻有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380012296.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有集成的天线结构的半导体模块
- 下一篇：用于生成电磁辐射的设备和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
