[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201380012560.2 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104160450B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 河野和幸;上田孝典 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非易失性半导体存储装置具备被串联连接的多个固定电阻元件(R)；多个基准单元晶体管(T)；与多个基准单元晶体管(T)的栅极连接的基准字线(RWL)；与配置了多个固定电阻元件(R)的电阻路径的一端连接的第1基准数据线(RBL)；和与多个基准单元晶体管(T)的一端公共地连接的第2基准数据线(RSL)，多个基准单元晶体管(T)的另一端与固定电阻元件(R)之间的任意一个或者电阻路径的另一端连接。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，具备：多个存储单元，配置为矩阵状，且分别包含单元晶体管和与所述单元晶体管的一端连接的电阻变化存储器元件；多条字线，与所述多个存储单元的各行分别对应地设置，且与配置于所述各行的多个存储单元所包含的单元晶体管的栅极公共地连接；多条第1数据线，与所述多个存储单元的各行或者各列分别对应地设置，且与配置于所述各行或者所述各列的多个存储单元所包含的电阻变化存储器元件公共地连接；多条第2数据线，与所述多个存储单元的各行或者各列分别对应地设置，且与配置于所述各行或者所述各列的多个存储单元所包含的单元晶体管的另一端公共地连接；被串联连接的多个固定电阻元件；多个基准单元晶体管；多条基准字线，与所述多个基准单元晶体管对应地设置，且与对应的基准单元晶体管的栅极连接；第1基准数据线，与配置了所述多个固定电阻元件的电阻路径的一端连接；和第2基准数据线，与所述多个基准单元晶体管的一端公共地连接，所述多个基准单元晶体管的另一端与所述固定电阻元件彼此的连接点中的任意一个、或者所述电阻路径的另一端连接。
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