[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380012757.6 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104160512B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 荒川和树;住友正清;松井正树;樋口安史;小山和博 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体装置中，沟槽(5)具有第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1导电型的漂移层(3)；第2导电型的基极层(4)，设在上述漂移层(3)的表面侧；多个沟槽(5)，将上述基极层(4)贯通而到达上述漂移层(3)，并在规定方向上延伸设置；栅极绝缘膜(6)，分别设于上述多个沟槽(5)的壁面；栅极电极(7)，分别设于上述栅极绝缘膜上；第1导电型的发射极层(8)，在上述基极层(4)的表层部，设在上述沟槽(5)的侧部；第2导电型的集电极层(1)，夹着上述漂移层(3)而与上述发射极层(8)分离地配置；发射极电极(11)，与上述基极层(4)及上述发射极层(8)电连接；以及集电极电极(12)，与上述集电极层(1)电连接；上述沟槽(5)具有第1沟槽(5a)和第2沟槽(5b)，该第1沟槽(5a)在上述基极层(4)的表面具有开口部，该第2沟槽(5b)与上述第1沟槽(5a)连通，并且对置的侧壁的间隔比上述第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且该第2沟槽(5b)的底部位于上述漂移层(3)，上述第1沟槽(5a)与上述第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度，上述基极层的表层部中，在相邻的上述第1沟槽之间的隔着上述发射极层而与上述第1沟槽对置的部分，在与相邻的上述第2沟槽所夹持的上述漂移层对置的部分，形成有第2导电型的接触层(9)，该接触层形成至比上述发射极层更深的位置，该接触层的与上述规定方向垂直并且与上述集电极层的平面方向平行的方向的长度比相邻的上述第2沟槽中最短部分的间隔长，该接触层比上述基极层浓度高。
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