[发明专利]用于钴合金无电沉积的碱性镀浴

摘要

本发明涉及用于三元和四元钴合金Co‑M‑P、Co‑M‑B及Co‑M‑B‑P的无电沉积的水性碱性镀浴组合物，其中M选自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W组成的群组，所述组合物包含炔丙基衍生物作为稳定剂。由其得到的钴合金层适用作例如半导体装置、印刷电路板及IC衬底等电子装置中的障壁层和顶盖层。

主权项

一种用于三元和四元钴合金Co‑M‑P、Co‑M‑B及Co‑M‑B‑P的无电沉积的水性碱性镀浴组合物，其中M选自由Mo及W组成的群组，所述镀浴组合物包含：(i)钴离子来源，(ii)M离子来源，(iii)至少一种络合剂，其选自包含羧酸及其盐的群组，并且其中所述至少一种络合剂的浓度在0.01到0.3mol/L的范围内，(iv)至少一种还原剂，其选自由次磷酸根离子、基于硼烷的还原剂及其混合物组成的群组，及(v)根据式(1)的稳定剂：其中X选自O和NR4，n在1到6的范围内，m在1到8的范围内；R1、R2、R3及R4独立地选自氢和C1到C4烷基；Y选自SO3R5、CO2R5及PO3R52，并且R5选自氢、钠、钾及铵，其中所述根据式(1)的稳定剂的浓度在0.05到5.0mmol/L的范围内。