[发明专利]具有改善的光提取效率的发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201380013018.9 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104160519A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李珍雄;金京完;尹余镇;吴尚炫;金泰均 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有改善的光提取效率的发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：氮化镓基板，具有上部面和下部面；氮化镓系半导体层叠结构体，位于基板的下部面，且包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层。其中，氮化镓基板在上部面包含具有突出部和凹入部的主图案，并具备形成于主图案的突出部上的粗糙化的表面。通过在氮化镓基板的上部面形成主图案并形成粗糙化的表面，可提供能够提高通过上部面的光提取效率的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 提取 效率 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：氮化镓基板，具有上部面和下部面；氮化镓系半导体层叠结构体，位于所述基板的下部面，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层，其中，所述氮化镓基板在所述上部面包含具有突出部和凹入部的主图案，并具备形成于所述主图案的突出部上的粗糙化的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司，未经首尔伟傲世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380013018.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体发光元件、其制造方法和光源装置
- 下一篇：开关元件单元
