[发明专利]EUV范围的反射镜、制造该反射镜的方法及包含该反射镜的投射曝光设备

摘要

本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率的EUV波长范围的反射镜(1)，包含基板(S)和层布置，其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M)，以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10ppb至10％之间，尤其介于100ppb和0.1％之间的杂质原子，使得非金属单独层(B,H,M)获得大于6*1010cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1*10‑3S/m的电导率，尤其是大于6*1013cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。

主权项

用于EUV波长范围的反射镜(1)，对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率，包含：基板(S)和层布置，其中，所述层布置包含至少一个非金属单独层，所述非金属单独层包含阻挡层(B)、高折射率层(H)，其中，所述层布置包含至少一个层子系统(P‘)，所述至少一个层子系统由至少两个周期(P)的周期序列构成，其中，所述周期(P)包含由不同材料构成的两个单独层，分别用于高折射率层(H)和低折射率层(L)，其中，所述周期(P)的所述两个单独层(L，H)中的用于所述高折射率层(H)的一个的材料为硅，所述两个单独层(L,H)中的用于所述低折射率层(L)的另一个的材料为钼或钌，以及其中，所述至少一个层子系统(P‘)的所述至少两个周期(P)中的每一个中的所述两个单独层之间通过至少一个阻挡层(B)分隔开，所述阻挡层(B)由从以下材料组中选择的材料中的一种或多种或由以下材料组构成的化合物中的一种或多种材料构成：B4C、C、Si氮化物、Si碳化物、Si硼化物、Mo氮化物、Mo碳化物、Mo硼化物、Ru氮化物、Ru碳化物和Ru硼化物，其特征在于，所述非金属单独层掺杂有介于10ppb至10％之间的杂质原子，使得所述非金属单独层获得大于6×1010cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1×10‑3S/m的电导率。