[发明专利]具有闪存与ROM存储单元的存储器模块有效

专利信息
申请号: 201380013172.6 申请日: 2013-03-04
公开(公告)号: CN104160451B 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: K·K·沃尔什;P·B·帕特森;G·W·本顿;J·D·威尔金森 申请(专利权)人: 美敦力公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C17/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 张欣
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用于存储多个数据位的存储器阵列。该存储器阵列具有闪存单元、ROM存储单元寻址电路。该寻址电路被操作地耦合到多个闪存单元和多个ROM存储单元,该寻址电路被配置为寻址所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者。
搜索关键词: 具有 集成 rom 存储 单元 闪存
【主权项】:
一种配置为存储多个数据位的存储器阵列,包括:多个闪存单元;多个ROM存储单元;以及操作地耦合到所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元的寻址电路,所述寻址电路被配置为寻址所述多个闪存单元和所述多个ROM存储单元二者,其中所述多个数据位被排列在位线中;其中所述多个闪存单元具有闪存位线地址间隔,其中所述多个ROM存储单元具有ROM位线地址间隔,并且其中所述多个闪存单元的闪存位线地址间隔近似等于所述多个ROM存储单元的ROM位线地址间隔。
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