[发明专利]热敏电阻用金属氮化物膜及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器无效
| 申请号： | 201380013405.2 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104170031A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 田中宽;藤田利晃;长友宪昭;藤原和崇;稻叶均 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物膜及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物膜能够通过非烧成的方式在薄膜等上直接成膜，并且耐弯曲性也优异。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物膜由以通式：TixAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95，0.4≤z≤0.5，x+y+z＝1，其晶体结构为六方晶系的纤锌矿型单相，在X射线衍射时a轴取向(100)的衍射峰强度与c轴取向(002)的衍射峰强度的峰值比，即a轴取向(100)的衍射峰强度/c轴取向(002)的衍射峰强度为0.1以下。 | ||
| 搜索关键词： | 热敏电阻 金属 氮化物 及其 制造 方法 以及 薄膜 传感器 | ||
【主权项】：
一种热敏电阻用金属氮化物膜，所述金属氮化物膜用于热敏电阻，其特征在于，所述金属氮化物膜由以通式：TixAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95，0.4≤z≤0.5，x+y+z＝1，其晶体结构为六方晶系的纤锌矿型单相，在X射线衍射时a轴取向(100)的衍射峰强度与c轴取向(002)的衍射峰强度的峰值比，即a轴取向(100)的衍射峰强度/c轴取向(002)的衍射峰强度为0.1以下。
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