[发明专利]用于线性等离子体源的静态沉积轮廓调整无效
申请号: | 201380013503.6 | 申请日: | 2013-03-20 |
公开(公告)号: | CN104170059A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | M·维尔莱卡尔;M·S·考克斯;H·P·穆格卡;C·C·王;L·张;H·K·波内坎蒂;M·P·斯图尔特;E·P·哈蒙德四世;A·S·波利亚克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H05H1/46;C23C16/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文中描述使用线性等离子体源来控制膜沉积的方法和设备。该设备包括其中具有用以供气体流过的开口的喷洒头、设置于该喷洒头附近用以支撑一或多个基板在其上的输送器以及用以离子化该气体的电源。该离子化气体可以是用以在基板上沉积材料的来源气体。可以调整该材料在基板上的沉积轮廓,例如使用该设备中包括的气体成型装置。另外地或替代地,可以通过使用可致动的喷洒头来调整沉积轮廓。该方法包括使基板曝露于离子化气体,以在该基板上沉积膜,其中以气体成型装置影响该离子化气体,以在基板被输送到靠近该喷洒头时均匀地将膜沉积在该基板上。 | ||
搜索关键词: | 用于 线性 等离子体 静态 沉积 轮廓 调整 | ||
【主权项】:
一种线性等离子体源,包含:喷洒头,内部形成有开口,用以供气体流过;设置于所述喷洒头附近的输送器,所述输送器上适以支撑基板并将所述基板相对于所述喷洒头移动;电源,用以离子化所述气体;以及气体成型装置,设置于所述喷洒头附近,以影响基板上的沉积轮廓,其中所述气体成型装置在处理过程中是可致动的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造