[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该晶体管的有源操作显示装置和有源操作传感器装置在审
| 申请号： | 201380014732.X | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104272462A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张震;马洛里·马蒂温格;姜东汉 | 申请（专利权）人： | 庆熙大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘洋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该方法的有源操作显示装置和有源操作传感器装置。一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法包括：通过在基板上沉积和图案化栅层形成栅极；在所述栅极上依次沉积栅极绝缘膜、氧化物半导体和蚀刻阻挡层，并图案化所述蚀刻阻挡层；图案化所述氧化物半导体；在所述图案化的氧化物半导体上形成源极和漏极；以及，在所述源极和所述漏极上沉积保护层，并在所述保护层中形成接触孔，其中所述氧化物半导体被成型至小于或等于4纳米的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 制备 方法 使用 晶体管 有源 操作 显示装置 传感器 装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：第一步骤，通过在基板上沉积和图案化栅层形成栅极；第二步骤，在所述栅极上依次沉积栅极绝缘膜、氧化物半导体和蚀刻阻挡层，并图案化所述蚀刻阻挡层；第三步骤，图案化所述氧化物半导体；第四步骤，在所述图案化的氧化物半导体上形成源极和漏极；以及，第五步骤，在所述源极和所述漏极上沉积保护层，并在所述保护层中形成接触孔，其中所述氧化物半导体具有小于或等于4纳米的厚度。
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