[发明专利]基板处理装置以及加热器清洗方法有效
申请号: | 201380015581.X | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN104205305B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 村元僚 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 魏彦,金相允 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 对与由基板保持单元(3)保持的基板(W)的上表面相对配置且用于对该上表面加热的加热器(35)进行清洗。加热器具有红外线灯(38)和外壳(40)。加热器清洗方法包含以下工序加热器配置工序,在加热器清洗位置以与第一喷出口(84)相对的方式配置所述加热器,所述加热器清洗位置是具有第一喷出口的下喷嘴(82)的上方的位置,所述第一喷出口与保持于所述基板保持单元的基板的下表面相对并且向上方喷出液体;以及下清洗液喷出工序,在所述基板保持单元上未保持基板的状态下,对所述下喷嘴供给清洗液,从所述第一喷出口向上方喷出清洗液,由此,对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给清洗液。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 加热器 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种加热器清洗方法,用于对加热器进行清洗,所述加热器具有红外线灯和外壳,与由基板保持单元保持的基板的上表面相对配置来对该上表面加热,其特征在于,包含以下步骤:加热器配置工序,在加热器清洗位置,以与第一喷出口相对置的方式配置所述加热器,所述加热器清洗位置是具有所述第一喷出口的下喷嘴的上方的位置,所述第一喷出口与保持于所述基板保持单元的基板的下表面相对置并且向上方喷出液体;以及下清洗液喷出工序,在所述基板保持单元未保持基板的状态下,对所述下喷嘴供给清洗液,从所述第一喷出口向上方喷出清洗液,从而对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给清洗液;着液位置移动工序,与所述下清洗液喷出工序并行地,使从所述第一喷出口喷出的清洗液在所述外壳的外表面的着液位置移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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