[发明专利]氧化物膜及其制造方法无效
| 申请号： | 201380015666.8 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104204279A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 山添诚司;和田隆博 | 申请（专利权）人： | 学校法人龙谷大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C04B35/00;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氧化物膜由银(Ag)及镍(Ni)所形成的氧化物膜构成(可以包含不可避免的杂质)。该氧化物膜由如图3中第一氧化物膜及第2氧化物膜的XRD(X光绕射)分析结果的曲线图所示，在XRD分析中不显示明确的绕射波峰，而为微结晶集合体、含微结晶的非晶态或非晶态，并且具有p型导电性。根据该氧化物膜，就可得到比常规技术更宽的禁带宽度，并且更高的p型导电性。此外，由于此氧化物膜是包含如上述的微结晶集合体、含微结晶的非晶态或非晶态，因此容易在大型基板上形成膜，适于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物膜，其特征在于，其由银(Ag)及镍(Ni)形成的氧化物膜(可以包含不可避免的杂质)构成，且为微结晶集合体、含微结晶的非晶态或非晶态，并且具有p型导电性。
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