[发明专利]经蚀刻的硅结构、形成经蚀刻的硅结构的方法及其用途无效
| 申请号： | 201380015837.7 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104204292A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘峰名;Y·江;克里斯托夫·迈克尔·弗兰德;乔纳通·斯皮德 | 申请（专利权）人： | 奈克松有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/00 | 分类号： | C23C18/00;C09K13/08;H01L21/00;C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种蚀刻含硅材料的硅的方法，该方法包括以下步骤：用元素金属部分地覆盖含硅材料的硅表面，然后通过将部分覆盖的硅表面暴露于蚀刻组合物进行硅的金属辅助化学蚀刻，其中，用于金属辅助化学蚀刻的至少一些元素金属由以下之一形成：(a)将硅表面暴露于含金属离子的组合物，其中，通过还原金属离子形成元素金属，并且其中，含金属离子的组合物基本上不含HF，或(b)将元素金属直接沉积在硅表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 结构 形成 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种蚀刻含硅材料的硅的方法，所述方法包括以下步骤：用元素金属部分覆盖所述含硅材料的硅表面，以及然后通过将部分覆盖的硅表面暴露于蚀刻组合物进行所述硅的金属辅助化学蚀刻，其中，用于所述金属辅助化学蚀刻的至少一些所述元素金属由以下之一形成：(a)将所述硅表面暴露于含金属离子的组合物，其中，通过还原所述金属离子形成所述元素金属，并且其中，所述含金属离子的组合物基本上不含HF，或(b)将所述元素金属直接沉积在所述硅表面上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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