[发明专利]具有射频(RF)回程路径的基板支撑件有效
申请号: | 201380016084.1 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN104205319B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 艾伦·里奇;唐尼·扬;伟·W·王;阿南塔克里希纳·朱普迪;清·X·源;希兰库玛·萨万戴亚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205;C23C14/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文提供用于处理基板的设备。在一些实施例中,一种用于处理基板的设备包含基板支撑件,所述基板支撑件可包含具有表面以在所述表面上支撑基板的介电构件;设置在所述介电构件之下的一或更多个第一导电构件且所述一或更多个第一导电构件具有与所述介电构件相邻的面对介电构件的表面;及设置在所述一或更多个第一导电构件周围且接触所述一或更多个第一导电构件的第二导电构件,使得由射频源提供至所述基板的射频能量通过沿着所述一或更多个第一导电构件的所述面对介电构件的表面且在沿着面对介电层的表面行进之后沿着实质上平行于所述一或更多个第一导电构件的外围边缘表面设置的所述第二导电构件的第一表面从所述基板支撑件径向地向外行进而返回所述射频源。 | ||
搜索关键词: | 具有 射频 rf 回程 路径 支撑 | ||
【主权项】:
一种使用于物理气相沉积腔室的基板支撑件,包含:介电构件,所述介电构件具有表面以在所述表面上支撑基板;一或更多个第一导电构件,所述一或更多个第一导电构件设置在所述介电构件之下且具有与所述介电构件相邻的面对介电构件的表面;环状第二导电构件,所述第二导电构件设置在所述一或更多个第一导电构件周围且接触所述一或更多个第一导电构件,使得由射频源提供至所述基板的射频能量通过沿着所述一或更多个第一导电构件的所述面对介电构件的表面且在沿着所述面对介电构件的表面行进之后沿着平行于所述一或更多个第一导电构件的外围边缘表面设置的所述第二导电构件的第一表面从所述基板支撑件径向地向外行进而经由射频回程路径返回所述射频源;以及多个导电元件,所述多个导电元件设置在所述第二导电构件周围且接触所述第二导电构件,其中所述多个导电元件在所述第二导电构件的表面上延伸以使得所述多个导电元件根据所述基板支撑件的位置而选择性地接触设置在所述基板支撑件上方的隔件,以完成所述射频回程路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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