[发明专利]用于辐照衬底的设备有效
申请号: | 201380016519.2 | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN104350589B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | S.利诺夫;L.冯里韦尔 | 申请(专利权)人: | 贺利氏特种光源有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 卢江,刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 已知的用于辐照衬底的设备具有用于待辐照的衬底的带有圆形辐照面的容纳部和带有至少一个布置在平行于辐照面走向的照明平面中的辐射器管的第一光辐射器。辐射器管的照明长度包括一个中部区段和两个端部区段,其中中部区段的长度总计为照明长度的至少50%。容纳部和光辐射器能够相对于彼此移动。为了由此为出发点说明一种用于对衬底进行热处理的设备,该设备能够实现对衬底的均匀或旋转对称的加热并且该设备此外需要低的设计和控制技术费用,根据本方法提出假如辐射器管的照明长度在小于2π的弧角之上延伸,则辐射器管在中部区段中具有连续减小的弯曲。 | ||
搜索关键词: | 用于 辐照 衬底 设备 | ||
【主权项】:
一种用于辐照衬底的设备,具有:带有圆形辐照面的用于待辐照的衬底的容纳部;第一光辐射器,具有至少一个布置在平行于所述辐照面走向的照明平面中的辐射器管,所述辐射器管具有带有一个中部区段和两个端部区段的照明长度,其中所述中部区段的长度总计为所述照明长度的至少50%,并且其中所述容纳部和所述光辐射器能够相对于彼此移动,其特征在于,所述辐射器管的照明长度在小于2π弧度的弧角之上延伸,以及所述辐射器管在所述中部区段中具有从一个端部区域到另一个端部区域连续减小的弯曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造