[发明专利]芯片接合用导电性糊及利用该导电性糊的芯片接合方法在审
申请号: | 201380017110.2 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN104205312A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 小柏俊典;盐屋晶和;宫入正幸 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01B1/00;H01B1/22 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明为一种导电性糊,其为由金属粉末和有机溶剂构成的芯片接合用导电性糊,其中,所述金属粉末由选自纯度为99.9质量%以上、平均粒径为0.01μm~1.0μm的银粉、钯粉、铜粉中的一种以上的金属粒子和包覆所述金属粒子的至少一部分的由金构成的包覆层构成。根据本发明的导电性糊,在将半导体元件等往衬底上进行芯片接合时,能够抑制在接合部产生空隙等缺陷。 | ||
搜索关键词: | 芯片 接合 导电性 利用 方法 | ||
【主权项】:
一种导电性糊,其为由金属粉末和有机溶剂构成的芯片接合用导电性糊,其中,所述金属粉末由选自纯度为99.9质量%以上、平均粒径为0.01μm~1.0μm的银粉、钯粉、铜粉中的一种以上的金属粒子和包覆所述金属粒子的至少一部分的由金构成的包覆层构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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