[发明专利]氮化硅粉末的制造方法和氮化硅粉末以及氮化硅烧结体和使用其的电路基板有效
| 申请号： | 201380017253.3 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104203813B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 柴田耕司;王丸卓司;山尾猛;藤永昌孝;本田道夫;藤井孝行 | 申请（专利权）人： | 宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/626 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种具有高的机械强度和传热系数的氮化硅烧结体和使用其的电路基板。提供一种氮化硅粉末的制造方法，其特征在于，一边通过连续烧结炉使在将比表面积设为RS(m2/g)、含氧比例设为RO(质量％)时的RS/RO为500以上的非晶质Si‑N(‑H)系化合物流动，一边在1000～1400℃的温度范围内以12～100℃/分钟的升温速度加热。另外，提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得到的氮化硅烧结体、以及使用该氮化硅烧结体的电路基板，所述氮化硅粉末的特征在于，在将存在于从粒子表面到粒子表面正下方3nm为止的氧的含有比例设为FSO(质量％)、将存在于从粒子表面正下方3nm起的内侧的氧的含有比例设为FIO(质量％)、将比表面积设为FS(m2/g)时，FS/FSO为8～25，FS/FIO为22以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 粉末 制造 方法 以及 烧结 使用 路基 | ||
【主权项】：
氮化硅粉末的制造方法，其一边通过连续烧结炉使比表面积为400～1200m2/g的非晶质Si‑N(‑H)系化合物流动，一边在含氮惰性气体气氛下或含氮还原性气体气氛下、在1400～1700℃的温度下烧结，其特征在于，在将所述非晶质Si‑N(‑H)系化合物的比表面积设为RS m2/g、含氧比例设为RO质量％时，RS/RO为500以上，在所述烧结时，在1000～1400℃的温度范围下，以12～100℃/分钟的升温速度加热所述非晶质Si‑N(‑H)系化合物，所述非晶质Si‑N(‑H)系化合物由Si6N2x(NH)12‑3x表示，其中，式中x＝0.5～4，包括含有卤素作为杂质的化合物。
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