[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380017760.7 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104205344A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 田中梨菜;古川彰彦;今泉昌之;阿部雄次 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用了宽能带隙半导体的JBS二极管中，宽能带隙半导体的内置电位大，所以有时pn二极管部不易导通，由此有时无法充分确保浪涌电流抗性。为了解决这个问题，在宽能带隙JBS二极管中，在从肖特基电极离开了的部位形成pn二极管的pn结，另外在从肖特基电极离开了的部位将阱区域的宽度形成得较窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电类型的宽能带隙半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述宽能带隙半导体基板的第1主面，并由宽能带隙半导体构成；多个第2导电类型的第1阱区域，在所述漂移层的表层部中，以规定的间隔相互邻接地形成；第2阱区域，在所述第1阱区域的所述半导体基板侧与所述第1阱区域邻接，以比所述第1阱区域低的第2导电类型杂质浓度、且比所述第1阱区域小的宽度来形成；肖特基电极，形成于所述漂移层以及所述第1杂质区域的表面上，与所述漂移层进行肖特基连接；以及欧姆电极，与所述半导体基板的所述第1主面的相反侧的第2主面相接地形成。
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