[发明专利]腔封装设计有效
申请号: | 201380018033.2 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN104220365A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | E·奥克斯;J·S·萨尔蒙 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈珊;刘兴鹏 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种半导体器件。所述器件包括具有电气轨迹的基底、安装到所述基底上的MEMS裸晶和半导体芯片中的至少一个和间隔件。所述间隔件具有连接到所述基底的第一端并且包括耦合至所述电气轨迹的电气互连。所述至少一个MEMS裸晶和半导体芯片包含在所述间隔件中。所述间隔件和基底形成包含所述至少一个MEMS裸晶和半导体芯片的腔。当半导体器件经由间隔件的第二端安装到电路板时,所述腔形成声学容积。 | ||
搜索关键词: | 封装 设计 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:具有电气轨迹的基底;安装到所述基底上的MEMS裸晶和半导体芯片中的至少一个;和具有连接到所述基底的第一端并且包括耦合到所述电气轨迹的电气互连的间隔件,并且所述MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个包含在所述间隔件内;其中所述间隔件和基底形成包含所述MEMS裸晶和半导体芯片中的所述至少一个的腔,当所述半导体器件经由所述间隔件的第二端安装到电路板时,所述腔形成声学容积,所述第二端与所述第一端相反。
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