[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201380018174.4 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104247173A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吉田真治;持田笃范 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 金仙华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具备包含III族氮化物半导体、且具有发光端面的半导体层叠体(50)；和以覆盖半导体层叠体(50)的发光端面的方式形成的、具有多个绝缘性膜的多层保护膜(30)。多层保护膜(30)具有第一保护膜(31)和覆盖该第一保护膜(31)的第二保护膜(32)。第一保护膜(31)包含含有铝的氮化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。第二保护膜(32)包含含有铝的氧化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其具备：半导体层叠体，其包含III族氮化物半导体，具有发光端面；以及多层保护膜，其以覆盖所述半导体层叠体的所述发光端面的方式形成，具有多个绝缘性膜，所述多层保护膜具有第一保护膜和覆盖该第一保护膜的第二保护膜，所述第一保护膜包含含有铝的氮化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜，所述第二保护膜包含含有铝的氧化物，是至少在其一部分中包含结晶化区域的结晶性膜。
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