[发明专利]密封的半导体发光器件有效
| 申请号： | 201380018252.0 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104205366B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | J.雷;S.施亚夫菲诺;A.H.尼克 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62;H01L21/56;H01L33/32;H01L33/52;H01L33/38;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙之刚;汪扬 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例的方法包括提供半导体器件晶片。半导体器件晶片包括半导体结构，其包括夹在n型区和p型区之间的发光层。半导体器件晶片还包括用于每一个半导体器件的第一和第二金属接触。每一个第一金属接触与n型区直接接触并且每一个第二金属接触与p型区直接接触。该方法还包括形成密封每一个半导体器件的半导体结构的结构。半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件晶片 金属接触 半导体结构 半导体器件 密封 半导体发光器件 支撑衬底晶片 发光层 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供发光半导体器件晶片，每一个发光半导体器件包括n型区、p型区、与n型区直接接触的第一金属接触和与p型区直接接触的第二金属接触；在每一个发光半导体器件的第一接触上形成足够厚以在稍后处理期间支撑发光半导体器件的第一金属层；在每一个发光半导体器件的第二金属接触上形成足够厚以在稍后处理期间支撑发光半导体器件的第二金属层；以及将发光半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片，支撑衬底晶片包括多个金属区，所述多个金属区形成在主体的表面上并且通过填充有环境气体的间隙分离，每一个间隙的底部包括不可被金属区润湿的表面。
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