[发明专利]等离子体蚀刻前处理光刻胶而形成特征的方法和装置无效
| 申请号： | 201380018755.8 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104246992A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 拉滕迪普·斯利瓦斯塔瓦;钟青华;金太元;高里·卡马尔斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于将特征经过光刻胶掩模形成到下伏层中的方法。光刻胶掩模具有图案化的掩模特征。光刻胶掩模具有图案化的掩模特征。提供含有H2和N2的处理气体。由处理气体产生等离子体，使光刻胶掩模暴露于等离子体。中断处理气体，然后将特征经过经等离子体处理的光刻胶掩模蚀刻到下伏层中。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 处理 光刻 形成 特征 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于将特征经过光刻胶掩模形成到下伏层中的方法，所述光刻胶掩模具有图案化的掩模特征，所述方法包括：提供含有H2和N2的处理气体；由所述处理气体产生等离子体；使所述光刻胶掩模暴露于所述等离子体；中断所述处理气体；和将所述特征经过经等离子体处理的光刻胶掩模蚀刻到所述下伏层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
