[发明专利]具有交替导电类型的区域的用于静电放电保护的半导体装置有效
| 申请号： | 201380018873.9 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104205345B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | B·索尔格洛斯;B·范坎普;S·范韦梅尔斯;W·梵郝特格姆 | 申请（专利权）人： | 索菲克斯公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种保护装置至少包括耦接在第一节点(1201)和第二节点(1202)之间的NPN晶体管(1203)和PNP晶体管(1204)，以便响应于静电放电(ESD)事件从第一节点到第二节点沉降电流。所述晶体管可以被耦接为使得NPN晶体管的N集电极(1222)被耦接到第一节点，NPN晶体管的P基极(1244)耦接到PNP晶体管的P发射极(1224)，NPN晶体管的N发射极(1225)被耦接到PNP晶体管的N基极(1225)，并且PNP晶体管的P集电极(1223)被耦接到第二节点，从而可以实现具有NPNP结构的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交替 导电 类型 区域 用于 静电 放电 保护 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护装置，其耦接在第一节点和第二节点之间，所述静电放电保护装置包括：P掺杂类型的第一低掺杂区；在所述第一低掺杂区内形成的N掺杂类型的第二低掺杂区；包括N掺杂类型的第一高掺杂区的第三区，其中所述第三区直接在所述第一低掺杂区内形成，所述第一高掺杂区耦接到所述第一节点，并且在所述第三区内没有P掺杂类型的高掺杂区形成；以及包括P掺杂类型的第二高掺杂区的第四区，其中所述第四区直接在所述第二低掺杂区内形成，所述第二高掺杂区耦接到所述第二节点，并且在所述第四区内没有N掺杂类型的高掺杂区形成；其中在所述第一高掺杂区处的电压高于在所述第二高掺杂区处的电压，并且其中在所述第一高掺杂区和所述第一低掺杂区之间的结被配置为响应于静电放电事件进入反向击穿，并且在所述第二低掺杂区和所述第二高掺杂区之间的结被配置为响应于所述静电放电事件进入反向击穿，从而所述静电放电保护装置被配置为响应于所述静电放电事件从所述第一高掺杂区到所述第二高掺杂区沉降电流。
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