[发明专利]形成具有CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2膜的太阳能电池的系统和方法在审
申请号: | 201380019485.2 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN104254923A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | D·S·艾尔宾;M·罗梅洛;N·弗拉;S·C·基梅内斯;J·M·古铁雷斯;E·S·科特从 | 申请(专利权)人: | 可持续能源联合有限责任公司;阿文戈亚太阳能新技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0272 | 分类号: | H01L31/0272 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了用于形成具有CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2膜的太阳能电池的系统和方法。在一种实施方案中,一种方法包括:在第一阶段(220)期间,通过氯化铟(InClx)蒸气(143、223)和Se蒸气(121、225)的气相传输进行质量传输以便在基底(114、210、230、250)上沉积半导体膜(212、232、252);加热所述基底(114、210、230、250)和所述半导体膜至期望的温度(112);在所述第一阶段(220)之后的第二阶段(240)期间,通过氯化铜(CuClx)蒸气(143、243)和Se蒸气(121、245)的气相传输向所述半导体膜(212、232、252)进行质量传输;和在所述第二阶段(240)之后的第三阶段(260)期间,通过氯化铟(InClx)蒸气(143、263)和Se蒸气(121、265)的气相传输向所述半导体膜(212、232、252)进行质量传输。 | ||
搜索关键词: | 形成 具有 cuinse sub cu in ga se 太阳能电池 系统 方法 | ||
【主权项】:
薄膜沉积系统(100,200),该系统包括:至少一个供给线(120、224、244、264),其设置成向基底表面(114、210、230、250)上传输硒蒸气;一个或多个注入器(142、222、242、262),其设置成通过注入包含氯化铜流的第一反应物气体向基底表面(114、210、230、250)质量传输铜,和通过注入包含氯化铟流的第二反应物气体向基底表面(114、210、230、250)进一步质量传输铟;加热器(112),其设置成加热所述基底表面(114、210、230、250);其中该系统适于限制在所述氯化铜到达基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述氯化铜之间的反应;和其中该系统适于限制在所述氯化铟到达基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述氯化铟之间的反应。
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