[发明专利]形成具有CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2膜的太阳能电池的系统和方法在审
| 申请号： | 201380019485.2 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104254923A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | D·S·艾尔宾;M·罗梅洛;N·弗拉;S·C·基梅内斯;J·M·古铁雷斯;E·S·科特从 | 申请（专利权）人： | 可持续能源联合有限责任公司;阿文戈亚太阳能新技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0272 | 分类号： | H01L31/0272 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于形成具有CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2膜的太阳能电池的系统和方法。在一种实施方案中，一种方法包括：在第一阶段(220)期间，通过氯化铟(InClx)蒸气(143、223)和Se蒸气(121、225)的气相传输进行质量传输以便在基底(114、210、230、250)上沉积半导体膜(212、232、252)；加热所述基底(114、210、230、250)和所述半导体膜至期望的温度(112)；在所述第一阶段(220)之后的第二阶段(240)期间，通过氯化铜(CuClx)蒸气(143、243)和Se蒸气(121、245)的气相传输向所述半导体膜(212、232、252)进行质量传输；和在所述第二阶段(240)之后的第三阶段(260)期间，通过氯化铟(InClx)蒸气(143、263)和Se蒸气(121、265)的气相传输向所述半导体膜(212、232、252)进行质量传输。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 cuinse sub cu in ga se 太阳能电池 系统 方法 | ||
【主权项】：
薄膜沉积系统(100，200)，该系统包括：至少一个供给线(120、224、244、264)，其设置成向基底表面(114、210、230、250)上传输硒蒸气；一个或多个注入器(142、222、242、262)，其设置成通过注入包含氯化铜流的第一反应物气体向基底表面(114、210、230、250)质量传输铜，和通过注入包含氯化铟流的第二反应物气体向基底表面(114、210、230、250)进一步质量传输铟；加热器(112)，其设置成加热所述基底表面(114、210、230、250)；其中该系统适于限制在所述氯化铜到达基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述氯化铜之间的反应；和其中该系统适于限制在所述氯化铟到达基底表面(114、210、230、250)之前发生的所述硒蒸气与所述氯化铟之间的反应。
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