[发明专利]具有控制栅极电压的数字‑模拟转换器有效
| 申请号： | 201380019607.8 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104247270B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | R·迈克拉克兰;A·古塔;F·J·唐尼 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种数字‑模拟转换器(DAC)，包括电阻腿被切换地连接到通过n沟道MOSFET(NMOS)的第一电压基准和通过p沟道MOSFET(PMOS)的第二电压基准之一；和发生器电路。所述发生器电路包括第一子电路，用于产生驱动电压(Vgn)；和第二子电路，用于a)由偏置电压偏置所述第一驱动电压以产生第二驱动电压，以及b)提供第二驱动电压施加到第一NMOS和第一PMOS之一的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 控制 栅极 电压 数字 模拟 转换器 | ||
【主权项】：
一种数字‑模拟转换器，包括：电阻腿，被可切换地连接到通过第一n沟道MOSFET的第一电压参考和通过第一p沟道MOSFET的第二电压参考之一；和发生器电路，包括：第一子电路，用于产生第一驱动电压；和第二子电路，用于a)由偏置电压偏置所述第一驱动电压以产生第二驱动电压，以及b)将第二驱动电压施加到第一n沟道MOSFET和第一p沟道MOSFET之一的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国亚德诺半导体公司，未经美国亚德诺半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380019607.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种漏电保护器
- 下一篇：电压互感器绕组保护装置
