[发明专利]制造金属栅极的方法有效
| 申请号： | 201380021611.8 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104254914B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 吕新亮;赛沙德利·甘古利;阿蒂夫·努里;梅特伊·马哈贾尼;陈世忠;雷雨;傅新宇;唐薇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种制造金属栅极电极的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体基板上形成高k介电材料；在所述高k介电材料之上沉积高k介电帽层；其中所述高k介电帽层是铝的阻障层；沉积PMOS功函数层，所述PMOS功函数层具有正功函数值；其中所述PMOS功函数层是填充层的阻障层；沉积NMOS功函数层；在所述NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层，其中所述NMOS帽层是填充层的阻障层；除去至少一部分的所述PMOS功函数层或至少一部分的所述NMOS功函数层；和沉积填充层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
